
随着半导体技术的发展,主动器件正朝着更小尺寸、更高集成度、更低功耗的方向演进。例如,先进制程下的CMOS晶体管已进入纳米级,使智能手机、AI芯片等设备实现高性能与低能耗并存。与此同时,被动器件也在材料科学推动下不断革新,如采用固态电解质的超级电容、高Q值陶瓷电感等,提升了高频性能与可靠性。
1. 物联网(IoT)设备: 在传感器节点中,低功耗微控制器(主动器件)配合超小型贴片电阻、电容(被动器件),构建出体积小、功耗低的边缘计算单元,支持长时间无线监测。
2. 可穿戴设备: 柔性电路板上的主动器件(如柔性OLED驱动芯片)与微型被动器件共同实现轻薄化设计,满足人体工学需求。
3. 电动汽车与新能源: IGBT与SiC MOSFET等新型主动器件用于车载逆变器,大幅提升能效;同时,高频电感与薄膜电容配合,实现紧凑高效的电源转换。
1. 高频通信系统: 5G基站和毫米波雷达中,采用低损耗介质材料制成的电容与电感,有效降低信号衰减,提高传输效率。
2. 超大规模集成电路封装: 在先进封装技术(如Chiplet、3D IC)中,被动器件被嵌入基板内部,形成“无源集成”结构,减少布线延迟,提升整体性能。
3. 电磁兼容(EMC)设计: 通过合理布局去耦电容、共模扼流圈等被动器件,有效抑制电磁干扰,保障系统稳定运行。
未来,主动与被动器件将更加深度融合。一方面,智能被动器件(如可调电容、可编程电感)正在兴起,赋予传统被动元件更多可控性;另一方面,系统级封装(SiP)和异构集成技术将进一步模糊两者界限,推动电子系统向更高集成度、更智能化方向发展。
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